更新時(shí)間: 2024-10-10
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化學(xué)機(jī)械拋光CMP材料是集成電路化學(xué)機(jī)械拋光工藝必不可少的耗材，化學(xué)機(jī)械拋光工藝是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵流程之一，拋光材料則是該工藝必不可少的耗材。在整個(gè)半導(dǎo)體材料成本中，拋光材料僅次于硅片、電子氣體和掩膜板，占比 7%， 是半導(dǎo)體制造的重要材料之一。
材料簡介
化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是集成電路制造過程中實(shí)現(xiàn)晶圓全局均勻平坦化的關(guān)鍵工藝，通過采用較軟的材料來實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。拋光材料是 CMP 工藝必不可少的耗材。
根據(jù)功能的不同，可劃分為拋光墊、拋光液、調(diào)節(jié)器，以及清潔劑等， 主要以拋光墊和拋光液為主。
重點(diǎn)介紹用于晶圓加工領(lǐng)域的化學(xué)機(jī)械拋光。
應(yīng)用領(lǐng)域
晶圓加工、金屬及非金屬的表面加工
CMFP拋光原理
CMP 利用晶圓和拋光頭之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)平坦化，拋光頭以一定壓力壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，研磨液在硅片表面和拋光墊之間流動(dòng)，在拋光墊的傳輸和離心力的作用下，均勻分布在硅片和拋光墊之間，形成一層研磨液液體薄膜。主要包含以下 2 個(gè)過程：
1.化學(xué)過程：研磨液中的化學(xué)品和硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成比較容易去除的物質(zhì)；
2.物理過程：研磨液中的磨粒和硅片表面材料發(fā)生機(jī)械物理摩擦，去除化學(xué)反應(yīng)生成的物質(zhì)。
