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各種拋光液特點對比及硅溶膠在拋光液中的應(yīng)用
更新時間: 2023-09-21 瀏覽次數(shù):
化學(xué)拋光技術(shù)是機(jī)械作用和化學(xué)作用的結(jié)合,其實它的微觀過程相當(dāng)復(fù)雜,影響因素很多。CMP設(shè)備、拋光墊、拋光液、后清洗設(shè)備、拋光終點檢測設(shè)備等,所有這些都對晶片的拋光質(zhì)量和拋光速率有重要影響。其中,拋光液是影響CMP質(zhì)量的決定性因素之一,不僅影響CMP的機(jī)械過程,也影響CMP的化學(xué)過程。目前國內(nèi)外常用的拋光液有硅溶膠拋光液、氧化鋁拋光液、氧化鈰拋光液等。幾種拋光液具有不同的應(yīng)用特性:

  硅溶膠拋光液:由于拋光液的選擇要滿足易清洗、拋光均勻性好、拋光速度快的特點,而且硅溶膠作為一種軟性磨料,在二氧化硅磨粒表面包覆一層無色透明的膠體,使其硬度比二氧化硅磨粒軟,粒度約為0.01-0.1um,使拋光面在加工過程中不易被劃傷。同時,其膠體粒徑為納米,具有較大的比表面積。由于其高滲透性和分散性,其顆粒表面常吸附OH-并帶負(fù)電荷,具有良好的疏水性和親水性,因此廣泛用于二氧化硅、硅片、藍(lán)寶石等光學(xué)器件表面的拋光。由于二氧化硅的粒度很細(xì),約為0.01-0.1m,拋光后工件表面的損傷層小。此外,二氧化硅的硬度與硅晶片的硬度相似,因此經(jīng)常用于拋光半導(dǎo)體晶片。在拋光時,我們通常不使用氣相法制備的微米級二氧化硅顆粒,而是使用納米二氧化硅溶膠來降低表面粗糙度和損傷層的深度。二氧化硅是硅溶膠拋光液的重要組成部分,其粒徑、密度、分散性等因素直接影響化學(xué)機(jī)械拋光的速率和質(zhì)量。


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